濺射是制備薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體即為濺射靶材。

　　靶材的發展趨勢是高濺射率、晶粒晶向控制、大尺寸、高純金屬。一般按照不同應用領域可分為半導體靶材、磁記錄靶材、光記錄靶材、顯示靶材和其他應用靶材。

　　半導體靶材主要包括電極、布線薄膜、儲存器電極薄膜、粘附薄膜、電容器絕緣膜薄膜（鋯鈦酸鉛靶材等）；

　　磁記錄靶材主要包括垂直磁記錄薄膜、硬盤用薄膜、薄膜磁頭、人工晶體薄膜（鈷鉑合金靶材，鈷鈀合金靶材等）；

　　光記錄靶材主要包括相變光盤記錄薄膜、磁光盤記錄薄膜、光盤反射薄膜、光盤保護薄膜（氮化硅靶材，氧化硅靶材，硫化鋅靶材等）；

　　顯示靶材主要包括透明導電薄膜、電極布線薄膜、電致發光薄膜（硫化鋅摻錳靶材，硫化鋅摻鋱靶材，硫化鈣摻銪靶材，氧化釔靶材，氧化鉭靶材，鈦酸鋇靶材等）；

　　其他應用靶材主要包括裝飾薄膜、低電阻薄膜、超導薄膜、工具鍍薄膜（氮化物靶材，碳化物靶材，硼化物靶材，鉻靶材，鈦靶材，鈦鋁合金靶材，鋯靶材，石墨靶材等）。